- Главная
- Продукция
- Фотодиоды с коаксиальным волоконным выводом
- Лавинный фотодиод, 3 Гбит/с (для оптических рефлектометров)
Лавинный фотодиод, 3 Гбит/с (для оптических рефлектометров)
Лавинный фотодиод (ЛФД) представляет собой фотодетектор с p-n переходом. Обычно изготавливается из кремния или германия. Под воздействием напряжения обратного смещения на p-n переход фотоны падающего света выбивают электроны, заставляя их проходить через переход, тем самым образуя фототок. Увеличение напряжения приводит к усилению фототока за счет лавинного умножения генерированных светом носителей заряда. Лавинный эффект используется для усиления фотоэлектрического сигнала в системе обнаружения с целью повышения чувствительности детектора.
Данный тип фотодиодов отличается малым темновым током, низким рабочим напряжением и высокой чувствительностью. Они могут работать в импульсном и непрерывном режиме. Лавинные фотодиоды нашли широкое применение в междугородних системах передачи связи, оптических рефлектометрах и тест-системах, разработанных на основе комбинационного рассеяния.
(Чтобы получить более детальную информацию о продукте, пожалуйста, загрузите данный PDF-файл.)
Оптические или электрические характеристики| Параметр | Обозначение | Мин. значение | Стандартное значение | Макс. значение | Ед. измерения | Примечание |
| Обратное напряжение пробоя | VBR | 40 | 45 | 55 | В | ID = 100 мкА |
| Температурный коэффициент обратного напряжение пробоя | δ | 0,2 | %/°C | |||
| Темновой ток | ID | 5 | 25 | нА | VR = VBR x 0,9 | |
| Умноженный темновой ток | IDM | 1 | 3 | нА | M = от 2 до 10 | |
| Общая ёмкость | Ct | 0,35 | пФ | VR = VBR x 0,9, f = 1 МГц | ||
| Частота отсечки | fC | 2,5 | ГГц | M = 10 | ||
| Квантовая эффективность | η | 76 | 90 | % | λ = 1310 нм, M = 1 | |
| 65 | 77 | λ = 1550 нм, M = 1 | ||||
| Спектральная светочувствительность | S | 0,85 | 0,90 | А/Вт | λ = 1310 нм, M = 1 | |
| 0,90 | 0,95 | λ = 1550 нм, M = 1 | ||||
| Коэффициент избыточного шума | X | 0,7 | - | λ = 1310 нм, IPO = 1,0 мкм, M = 10, f = 35 МГц, B = 1 МГц | ||
| F | 5 | λ = 1550 нм, IPO = 1,0 мкм, M = 10, f = 35 МГц, B = 1 МГц | ||||
| Оптические потери на отражение | ORL | 30 | 40 | дБ | SMF |
Компания Shengshi является специализированным производителем лавинных фотодиодов. В дополнение к данной продукции мы также предлагаем широкой ассортимент электронных компонентов, таких как красные лазерные диоды с длиной волны 405-980 нм, лазерные диоды с одномодовым или многомодовым волоконным выводом и т.д.
Схожие названия
Фотодетектор лавинного типа | ЛФД | Высокочувствительные полупроводниковые приборы
Wuhan Shengshi Optical Technology Co., Ltd.
Контактное лицо:Wendy
Skype: Wendy_laser
Тел.: +86-27-87179709
Факс: +86-27-87172995
Мобильный тел.: +86-15902779619
Эл. почта: wendy@laserdiodedevice.com
Вебсайт: www.laserdiodedevice.com
